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壓敏電阻的物理特性：

ＺｎＯ　壓敏電阻的非線性是一種晶粒邊界現(xiàn)象，即在相 鄰晶粒耗盡層中存在多數(shù)電荷載流子（電子）的勢(shì)壘。認(rèn) 為肖特基勢(shì)壘像　ＺｎＯ　微結(jié)構(gòu)中晶粒邊界勢(shì)壘。晶粒邊界 上的負(fù)表面電荷（電子捕獲）是由晶界面兩側(cè)晶粒的耗盡 層的正電荷來(lái)補(bǔ)償?shù)摹犭娮影l(fā)射和隧道效應(yīng)是主要的傳 輸機(jī)制。 近發(fā)展的壓敏電阻勢(shì)壘的晶粒邊界缺陷模型在改進(jìn) 穩(wěn)電壓應(yīng)力下，壓敏電阻的穩(wěn)定性上取得了很大進(jìn)展。

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靜態(tài)電容量（PF）

靜態(tài)電容量指壓敏電阻器本身固有的電容容量。

響應(yīng)時(shí)間τ

IEEE定義的壓敏電阻的響應(yīng)時(shí)間τ并不是壓敏電阻材料本身的特性，而是由測(cè)試波形、引線、印制電路版的布線方式、外部測(cè)試連接線，以及它們所構(gòu)成的磁環(huán)路等外部原因造成的，根據(jù)這一定義，對(duì)8/20 μs標(biāo)準(zhǔn)雷電流波或TS>8 μs的電流波，壓敏電阻的響應(yīng)時(shí)間τ＝0。

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壓敏電阻沖擊電流作用下的老化機(jī)理

沖擊電流作用下主要是熱老化。能量迅速注入電阻片，溫度升高很多，使離子的能量大為增加，遷移力增大，使反偏壓側(cè)的Zni，Bi3+等向晶界遷移。

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